技術(shù)編號：5267067
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及壓力傳感器的設(shè)計與制造領(lǐng)域，尤其涉及一種具有納米SiC薄膜的壓力傳感器的制備方法。背景技術(shù)SiC是Si和C唯一穩(wěn)定的化合物。SiC晶體的機械性能僅次于金剛石。 其抗腐蝕性非常強，在1500°C以下幾乎不受作用于任何實驗溶劑。常壓下不 能將其融化，大于2100°C時升華，分解為Si和C蒸汽。35個大氣壓下，2830°C 時發(fā)現(xiàn)SiC的轉(zhuǎn)熔點。SiC的飽和電子漂移速度是Si的2倍，其介電常數(shù)僅 高于金剛石，略高于GaN，均低于Si和GaAs等幾種常用...
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