技術(shù)編號(hào)：5268186
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種激光直寫制備薄膜點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的方法，特別是涉及一種利用激光直 寫技術(shù)在金屬薄膜上，完全線性可控制備低于衍射極限的納米點(diǎn)陣的方法。背景技術(shù)薄膜的微納點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體微電子領(lǐng)域和超高密度存儲(chǔ)以及其他光電器件領(lǐng) 域有著廣闊的應(yīng)用前景。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的飛速發(fā)展，器件特征尺寸不斷減小，為了提高 光學(xué)曝光的分辨率，人們通過采用縮短激光波長(zhǎng)和增大NA的方法以獲取更小的光刻分辨 率。但是由于受衍射極限R = 0.61 X/NA的限制(R是分辨距離，X是所用激光的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。