技術(shù)編號：5268709
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種雙射頻脈沖等離子體的刻蝕方法及其刻蝕裝置，所述等離子體處理腔室具有上電極和下電極，通過源射頻功率和偏置射頻功率共同進(jìn)行制程，所述腔室中放置有基片，所述下電極分別連接有源射頻功率源和偏置射頻功率源，所述偏置射頻功率源以脈沖的方式輸出偏置功率，所述偏置射頻功率源交替輸出第一低頻頻率和第二低頻頻率的兩種脈沖信號進(jìn)行制程，所述第一低頻頻率和第二低頻頻率的脈沖信號的頻率相同且相位相反，本發(fā)明結(jié)合兩種低頻頻率刻蝕方法，通過調(diào)節(jié)脈沖發(fā)生器的脈沖周期及占空比...
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