技術(shù)編號(hào)：5268945
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，包括如下步驟（1）在硅片表面制備圖形化的光刻膠掩膜；（2）對(duì)硅片進(jìn)行深感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，包括多個(gè)刻蝕階段，每個(gè)刻蝕階段均在感應(yīng)耦合等離子體機(jī)內(nèi)，通過鈍化、轟擊和刻蝕三個(gè)步驟交替循環(huán)加工完成，隨著刻蝕深度的增加，各刻蝕階段中轟擊步驟的轟擊強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)。本發(fā)明有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)壁垂直度及粗糙度難以控制以及大刻蝕深度難以實(shí)現(xiàn)的問題，在提高刻蝕效率的同時(shí)，提高了對(duì)光刻膠的選擇比，刻蝕槽側(cè)壁垂直度高，粗糙度小，刻蝕深度大。專利說明[0001...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。