技術(shù)編號：5269248
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，包括以下步驟(1)清洗將單晶硅片清洗干凈并烘干；(2)勻膠在單晶硅片上涂覆上一層光刻膠；(3)光刻在單晶硅片上形成光刻膠陣列結(jié)構(gòu)；(4)鍍膜在光刻膠陣列結(jié)構(gòu)上鍍上一層剛性薄膜；(5)熱解使光刻膠發(fā)生熱解和收縮，剛性薄膜形成微納米褶皺。本發(fā)明中光刻膠發(fā)生熱解后形成的碳結(jié)構(gòu)和剛性薄膜形成的微納結(jié)構(gòu)都具有較好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性，可以用作微傳感器、微燃料電池、生物芯片等微型器件的工作電極，能增大電極的比表面積及提高其工作效率。專利說明 [0001]...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。