技術(shù)編號：5270368
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供的，其包括以下步驟掩膜制作步驟，在基片的層間介質(zhì)表面上形成具有預(yù)定圖形的掩膜；加熱預(yù)處理步驟，加熱基片，以使掩膜的溝槽側(cè)壁傾斜；基片刻蝕步驟，向反應(yīng)腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以在層間介質(zhì)上刻蝕溝槽，從而將掩膜的圖形復(fù)制到層間介質(zhì)上。本發(fā)明提供的，其可以在獲得理想的溝槽側(cè)壁的傾斜角度的前提下，提高刻蝕速率，從而可以提高工藝效率。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及微電子，特別涉及一種。 背景技術(shù) [0002]近年來，隨著M...
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