技術(shù)編號(hào):5273260
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種電鍍沉積銅(Electro-Chemical Deposition Copper,ECD-Cu)裝置,尤指一種改良的電鍍沉積銅裝置,可避免電鍍沉積銅薄膜生成空穴。背景技術(shù) 隨著積體電路的積集度不斷增加,金屬連線的RC延遲(RC time delay)效應(yīng)將可預(yù)期地會(huì)影響到元件操作效能。若欲改善此一狀況可以采用電阻值較低的金屬做為金屬導(dǎo)線或是降低金屬導(dǎo)線間的介電層的寄生電容。銅制程是一個(gè)解決RC延遲效應(yīng)的可行方案。近兩年,一些制程技術(shù)的改進(jìn),例...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。