技術(shù)編號(hào)：5290431
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于監(jiān)視電解工藝、并且特別用于向襯底上電解沉積金屬的裝置和方法。晶圓上的集成電路，更具體地說由硅制成的晶圓上的集成電路一般是使用刻蝕和沉積工藝并結(jié)合光刻工藝來制造的。迄今為止，已經(jīng)習(xí)慣性地使用用于在晶圓上建立電導(dǎo)體連接的濺射工藝來制造金屬導(dǎo)電圖形。這些年來已經(jīng)越來越多地使用電化學(xué)(galvanic)工藝來制造晶圓上的集成電路。除了在被稱為“后端”部分中的銅的電解沉積之外，即用于對在晶圓上制造的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行布線，在被稱為“封裝”工藝，即在金屬...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。