技術(shù)編號(hào)：5290823
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及制備大尺寸硅孔陣列的方法。背景技術(shù)低維微納結(jié)構(gòu)是目前微電子和光電子領(lǐng)域的研究前沿。微納結(jié)構(gòu)尺寸的減小和介觀物理效應(yīng)能夠帶來器件集成度和性能的大幅提高。在傳統(tǒng)的平面太陽電池中，要實(shí)現(xiàn)完全光吸收，對(duì)吸收區(qū)厚度來講，Si需要100微米，GaAs需要1-3微米，光生載流子需要足夠長的壽命才能輸運(yùn)穿過這個(gè)厚度，所以要求吸收區(qū)材料純度高。如果采用低維微納結(jié)構(gòu)，比如納米線、納米棒等材料做吸收區(qū)，則可以實(shí)現(xiàn)光吸收和光生載流子收集方向的垂直分離...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。