技術(shù)編號：5293640
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種納米棒陣列電極的制備方法，具體涉及模板法生長的金屬 納米棒經(jīng)分散后修飾的納米棒陣列電極的制備方法。技術(shù)背景超微陣列電極由于保持了單個超微電極高擴(kuò)散流量、高響應(yīng)速度的特性， 又可以獲得較大的電流強(qiáng)度，因此受到了高度的關(guān)注。近年來，金屬納米材料，特別是金屬納米顆粒被廣泛用于電化學(xué)電極的修 飾，形成納米顆粒陣列電極。這些金屬納米顆粒不僅在電極上起到了增大電極 表面積、增加導(dǎo)電性、通過超微電極非線性擴(kuò)散方式改善擴(kuò)散傳質(zhì)能力的作用， 而且由于納米材料特...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。