技術編號：5835093
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及MOS器件測試領域，尤其涉及一種判斷MOS器件性能退化的 方法。背景技術隨著集成電路的發(fā)展，MOS器件的特征尺寸也不斷在減小，現(xiàn)已縮小到亞 微米和深亞微米，且向超深亞微米發(fā)展。但在MOS器件尺寸等比例縮小的同時， MOS器件工作電壓并未隨之等比例減小，使得MOS器件中MOS管溝道熱載流 子(hot-carrier injection HCI)的形成幾率大大增加，并在硅和二氧化硅界面產(chǎn) 生界面態(tài)，或凈皮柵極氧化層中的電荷陷阱俘獲，導致MOS器件，如...
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