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半導體晶片檢查設備的制作方法技術資料下載

技術編號:5860473

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本發(fā)明涉及用于檢測晶片的外周部(以下簡稱為晶片邊緣部(edge))上的劃傷和灰塵、裂紋等缺陷的半導體晶片檢查設備。背景技術 半導體的制造工序,通常如下,在每個制造工序中進行缺陷檢查。半導體制造的前工序中,首先在半導體晶片(以下簡稱晶片)的表面上形成氧化膜(SiO2),然后,在該氧化膜上淀積氮化硅薄膜。接著,進入光刻工序,在晶片的表面上涂敷光致抗蝕劑(感光性樹脂)薄膜。然后,在晶片的邊緣部上適量地滴下一些清洗(rinse)液,按規(guī)定的寬度去掉晶片邊緣部的光致...
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