技術(shù)編號：5865293
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于測量用作電子元件的基底的片狀工件的厚度的方法，包括下述步驟將紅外輻射(射線)定向到工件上側(cè)上，其中第一輻射分量在所述上側(cè)上反射，而第二輻射分量穿透工件厚度、在工件下側(cè)上反射并且再次在工件上側(cè)射出，第一和第二輻射分量在構(gòu)成干涉圖樣的情況下發(fā)生干涉，借助該干涉圖樣確定工件上側(cè)和工件下側(cè)之間的光學(xué)的工件厚度。背景技術(shù)薄片狀工件、例如硅晶片通常在雙面和單面加工機(jī)器中進(jìn)行加工，如磨削、研磨、 拋光(“Haze free polishing無霧拋光”...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。