技術(shù)編號(hào):587674
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于除去在半導(dǎo)體器件的制造工序中的干蝕刻和/或灰化(ashing) 時(shí)形成的殘?jiān)乃幰?、使用該藥液除去這些殘?jiān)姆椒ê褪褂迷撍幰撼ミ@些殘?jiān)陌雽?dǎo) 體器件的制造方法。特別涉及在Cu/Low-k多層配線結(jié)構(gòu)的制造中使用的殘?jiān)ヒ骸1尘凹夹g(shù)一直以來,作為配線材料使用Al或Al合金等、作為層間絕緣膜使用SiO2膜的Al/ SiO2多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件作為核心制作。近年來,為了減少伴隨半導(dǎo)體器件的微細(xì) 化而引起的配線延遲(interconnect ...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。