技術編號：5879840
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種測量方法，尤其是。 背景技術目前的半導體探測器，如背光探測器是把光信號轉變?yōu)殡娦盘柕陌雽w芯片，通 常它被固定在激光器背面之后的熱沉之上，用來探測激光器的背向光，為激光器的自動功 率控制提供監(jiān)視背光電流。光探測器主要有PIN光電二極管和雪崩二極管，而背光探側器 主要采用PIN光電二極管，其由P型和N型半導體組成，它們中間摻雜了微量的本征半導體 材料，也稱耗盡層。在N型半導體中，主要的載流子是電子，而在P型半導體中，主要的載流 子是空穴，由于電...
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