技術編號:5945294
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種溫度控制方法以及等離子體處理系統(tǒng)。尤其涉及一種對被處理體進行加工時的溫度控制。背景技術例如,在對半導體晶圓實施蝕亥IJ、成膜等的情況下,晶圓的溫度控制影響晶圓的成膜率、蝕刻率,從而影響形成于晶圓上的膜的性質、孔的形狀等。因此,為了提高晶圓的加工精確度、使成品率良好、提高生產能力,提高晶圓的溫度控制的精確度是非常重要的。因此,以往提出了一種使用電阻溫度計、測量晶圓背面的溫度的熒光式溫度計等的晶圓的溫度測量方法。在專利文獻I中,公開了如下一種方法...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。