技術(shù)編號：6000002
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及X射線成像，尤其是涉及用于X射線成像的硅檢測器組件。 背景技術(shù)X射線成像是在醫(yī)療成像領(lǐng)域的一個常用方法，用于X射線成像的能量范圍通常是10 keV至200 keV，在非損害性試驗或者安全篩查中，所用的能量更高。在這個范圍內(nèi)， X射線主要通過康普頓效應(yīng)和光子效應(yīng)來與物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。在第一個例子即康普頓效應(yīng)的例子中，僅有一部分X射線光子的能量是轉(zhuǎn)移到電子上，而在這次散射之后，X射線持續(xù)減少能量。再后面的例子即光子效應(yīng)的例子中，所有能量都轉(zhuǎn)移到電子上，而...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。