技術(shù)編號：6020661
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及屬于電子高密度三維封裝領(lǐng)域，具體涉及一種硅通孔金屬互聯(lián)方式電遷移可靠性測試結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)硅通孔金屬互聯(lián)線(TSV)技術(shù)是一種芯片內(nèi)的縱向互連技術(shù)，其電信號從硅片上的通孔中穿過，相比傳統(tǒng)的平面金屬線互連技術(shù)，TSV技術(shù)能顯著地提高封裝的密度，具有節(jié)省空間，降低信號延遲提高芯片性能等優(yōu)點。電遷移是微電子器件中互聯(lián)線路非常重要的一種失效原因，電遷移會造成互聯(lián)線路的開路和短路。對于傳統(tǒng)互聯(lián)金屬線的電遷移性能已經(jīng)有很多研究。但是對于TSV互聯(lián)技術(shù)的電遷移研...
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