技術(shù)編號(hào)：6030518
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種產(chǎn)生平行磁場的設(shè)備，具體涉及一種用于低溫探針臺(tái)中的 磁場產(chǎn)生裝置。 背景4支術(shù)半個(gè)多世紀(jì)以來，以CMOS為主流技術(shù)的半導(dǎo)體集成電路一直在遵循"摩 爾定律，，迅速發(fā)展，其特征尺寸已進(jìn)入到納米級(jí)，因此基于新材料、新原理的 納米電子器件如各種量子點(diǎn)器件、納米線、納米管器件、單電子器件等成為研 究的熱點(diǎn)。而對(duì)這些量子器件的表征中，其低溫特性和在^f茲場中的特性成為一 種常用的表征手段。但是在傳統(tǒng)的測試設(shè)備中，低溫特性和磁場特性很少能夠同時(shí)完成。有些 ...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。