技術(shù)編號:6095837
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一、發(fā)明領(lǐng)域概括地說,本發(fā)明涉及用于(a)測量液體中的離子;(b)保護該設(shè)備使不受靜電放電效應(yīng)作用;及(c)制造該設(shè)備,包括在硅片上的靜電放電保護電路的方法和設(shè)備。更具體地說,本發(fā)明涉及給基于感離子場效應(yīng)管(ISFET)的用于選擇性地測量液體中離子的裝置提供靜電放電(ESD)保護的方法、設(shè)備和芯片制造技術(shù)。根據(jù)本發(fā)明的一個方向,由傳統(tǒng)保護元件制作的ESD保持電路被集成在其上形成有ISFET的同一硅片上,并且有一個新的接口。根據(jù)本發(fā)明,該新的接口與被測液體接...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。