技術(shù)編號(hào):6125140
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是涉及,尤其是一維耦合微腔設(shè)置與氣相 共形薄膜生長(zhǎng)方法相結(jié)合設(shè)計(jì)與制備硅基光子分子的新方法。二背景技術(shù)在微米尺度的半導(dǎo)體微腔結(jié)構(gòu)中限制光子態(tài)可以形成類似于原子中的電子態(tài)分 布的特性,這種結(jié)構(gòu)可以稱為光子量子點(diǎn)[1. S. Chen, B. Qian, K. Chen, X. Zhang, J. Xu, Z. Ma, W. Li, and X. Huang, ^;p/. P/^.卯,174101 (2007)]或光子原子。將兩 個(gè)(多個(gè))光子量子點(diǎn)...
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