技術(shù)編號(hào):6138816
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到測(cè)量半導(dǎo)體襯底內(nèi)在其表面下埋入界面的深度的非破壞性方法。更詳細(xì)地說(shuō),本發(fā)明的非破壞性方法用傅里葉變換紅外(FTIR)測(cè)量來(lái)測(cè)定半導(dǎo)體襯底內(nèi)在其表面下埋入界面的深度。本發(fā)明非破壞性地測(cè)量確定埋入界面的上表面位置的深度。本發(fā)明也涉及到測(cè)量埋入界面的深度的設(shè)備。目前可買得到的數(shù)據(jù)處理器的高數(shù)據(jù)處理速度必須靠大量高速隨機(jī)存取存儲(chǔ)器支撐。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)提供大部分所要求的存儲(chǔ)量,由于減小每個(gè)存儲(chǔ)單元的器件數(shù),因此在單片集成電路芯片上能夠形成...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。