技術編號：6149015
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路測試領域，特別涉及一種確定EM測試結構中加速因 子的方法。背景技術Ea和N分別是EM (EM =Electro-Migration,電遷移)測試結構的溫度活化能和電 流加速因子。對應不同的工藝、不同的結構或不同的材料，溫度活化能Ea和電流加速因子 N都會不一樣。因此，對于新工藝、新結構或新材料，都要重新推導Ea和N，以便更精確的推 導出EM測試結構的使用壽命。傳統(tǒng)的獲得EM測試結構的兩個加速因子的方法是3J3T實驗(參考《電子器 件...
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