技術(shù)編號:6151073
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,屬于集 成電路設(shè)計。 背景技術(shù)隨著CMOS工藝特征尺寸的不斷降低, 一種稱為負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性 (Negative Bias Temperature Instability,簡稱NBTI)的老化機制逐漸成為影響數(shù) 字集成電路可靠性的主要因素之一。NBTI是PMOS晶體管特有的一種效應(yīng),當(dāng) PMOS晶體管處于反向偏置條件時會發(fā)生NBTI效應(yīng)。在集成電路的制造過程中,當(dāng)對硅進行氧化時,由于工藝的原因必須引入 氫原子,因此除了會在氧化物中形成通常的硅...
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