技術(shù)編號(hào)：6186337
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種判斷IGBT模塊局部放電位置的方法，包括s1、測(cè)量試驗(yàn)IGBT模塊缺陷的位置；s2、對(duì)上述試驗(yàn)IGBT模塊缺陷進(jìn)行測(cè)量得到其局部放電脈沖的相位分布，獲得缺陷位置與放電脈沖相位分布的對(duì)應(yīng)關(guān)系，并存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫中；s3、對(duì)被測(cè)IGBT模塊進(jìn)行測(cè)量得到其局部放電脈沖的相位分布；s4、將被測(cè)IGBT模塊的局部放電脈沖的相位分布與數(shù)據(jù)庫進(jìn)行比較，得到被測(cè)IGBT模塊的缺陷位置。本發(fā)明的判定方法就是為了解決測(cè)試當(dāng)中無法判斷視在電荷較大的原因等問題。通過對(duì)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。