技術(shù)編號：6214323
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種IR探測器以熱電堆的形式被提供，該熱電堆包括由硅襯底(1)支撐的介電膜(2、3、4)上的一個或多個熱電偶(6、7)。每個熱電偶由兩種材料(6、7)組成，其中至少一種是p摻雜或n摻雜的單晶硅。該裝置緊跟著內(nèi)蝕刻步驟被形成在SOI工藝中。該裝置比現(xiàn)有技術(shù)裝置有益，由于單晶硅的使用減少了輸出信號中的噪聲，使得層的幾何形狀及物理特性具有更高的再造性，并且此外，SOI工藝的使用使得溫度傳感器和電路能夠在同一芯片上制造。專利說明IR熱電堆探測器 [0001]...
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