技術(shù)編號：6225376
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于縱向NPN晶體管電離輻射損傷的定量測試方法，該方法涉及裝置是由柵控縱向NPN雙極晶體管和HP4142半導(dǎo)體參數(shù)分析儀組成，利用附加?xùn)烹姌O半導(dǎo)體工藝，在常規(guī)雙極NPN晶體管的CE、EB結(jié)鈍化層表面附加?xùn)烹姌O，所加?xùn)烹姌O既不影響器件的雙極常規(guī)特性，又使的器件具有MOS管特性，測試過程中通過在器件的表面附加一定的電場，使得器件基區(qū)表面能級發(fā)生彎曲，從而獲得表面柵極電壓隨基極電流的變化趨勢，本發(fā)明所述的方法中使用附加?xùn)烹姌O特殊結(jié)構(gòu)的雙極柵控縱向N...
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