技術(shù)編號(hào)：6327834
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種使用MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的半導(dǎo)體集成電路。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路中，為了不受電源電壓變動(dòng)或溫度變動(dòng)影響而產(chǎn)生穩(wěn)定的電壓， 使用了恒壓電路(基準(zhǔn)電壓電路)。日本特許文獻(xiàn)1、2中公開了使用MOSFET的恒壓電路。 圖1是示出比較技術(shù)中涉及的恒壓電路200的結(jié)構(gòu)的電路圖。恒壓電路200包括在電源端子和接地端子之間順次連接的第1晶體管Mll和第2晶體管M1...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。