技術(shù)編號：6339559
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體設(shè)計仿真領(lǐng)域，尤其涉及一種MOS晶體管工藝角SPICE模型的 建模方法。背景技術(shù)與雙極晶體管不同，在不同的晶片之間以及在不同的批次之間，金屬-氧化物-半 導(dǎo)體-場效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)參數(shù) 變化很大。為了在一定程度上減輕電路設(shè)計任務(wù)的困難，工藝工程師們要保證器件的性能 在某個范圍內(nèi)，主要以報廢超出這個性能范圍的芯片的措施來嚴(yán)格控制預(yù)期的參數(shù)...
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