技術編號：6356732
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種場效應晶體管等效電學模型及其建模方法，尤其涉及一種體引出 結構SOI場效應晶體管的等效電學模型其建模方法，屬于微電子器件建模領域。背景技術MOSFET為一種四端口半導體器件，在各個端口施加不同的激勵，器件的漏極電流 也會相應發(fā)生變化。通過對器件建立數學模型，得出輸入輸出的數學表達式，電路設計者使 用該模型進行電路設計的SPICE仿真。SOI場效應管(亦稱M0SFET) —般有兩種應用模式，一種是有體引出的結構(包括 T型柵引出結構和H型柵引出...
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