技術(shù)編號：6369265
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總構(gòu)思的示范性實(shí)施例涉及存儲器控制器及其操作方法。半導(dǎo)體存儲設(shè)備可以是使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等之類的半導(dǎo)體制造的存儲設(shè)備。半導(dǎo)體存儲設(shè)備可以分為易失性存儲設(shè)備和非易失性存儲設(shè)備。 背景技術(shù)易失性存儲設(shè)備在斷電時可能丟失存儲的內(nèi)容。易失性存儲設(shè)備包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)、同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)等等。非易失性存儲設(shè)備甚至在斷電時也可以保持存儲的內(nèi)容。非...
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