技術(shù)編號：6572176
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種存儲設(shè)備的管理方法，尤其是涉及一種應用于MLC (Multi-Leve] Cell,多層單元)介質(zhì)的NAND閃存的管理方法。背景技術(shù)近年來，隨著多媒體手持設(shè)備的普及，對移動存儲設(shè)備的容量要求也越來越 高，NAND閃存由于其相對于NOR閃存的大容量以及更快的擦除和寫入速度得到了 廣泛的應用。而隨著使用MLC技術(shù)的NAND閃存的出現(xiàn)，使存儲設(shè)備的成本更低， 但同時由于MLC技術(shù)的特性，如在數(shù)據(jù)塊內(nèi)不允許出現(xiàn)從高地址到低地址的逆 序訪問，壽命較短容...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學習研究技術(shù)思路。