技術(shù)編號：6572525
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別是涉及可降低光刻系統(tǒng)像差敏感 度的布局、光罩制作及圖形化方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件為了達到更快的運算速度、更大的資料存儲量以及更多的功能，半導(dǎo)體芯片正向更高集成度的方向發(fā)展； 而半導(dǎo)體芯片的集成度越高，半導(dǎo)體器件的臨界尺寸(CD， Critical Dimension) 越小。為了實現(xiàn);微小的CD,必須將已設(shè)計好的更加精細的布局圖形轉(zhuǎn)移至光罩 上，再使用微影(lithography)技術(shù)將光罩上的圖形聚...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
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