技術(shù)編號:6739122
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。示范性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲器器件,更具體地,示范性實(shí)施例涉及非易失性存儲器器件并涉及包括非易失性存儲器器件的系統(tǒng)。背景技術(shù)非易失性存儲器器件在不存在供電時(shí)保持所存儲的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器器件的例子包括快閃存儲器(例如NAND(與非)快閃存儲器和N0R(異或)快閃存儲器)、相變隨機(jī)存取存儲器(Phase change Random Access Memory,PRAM)、磁阻隨機(jī)存取存儲器(Magnetroresistive Random Access Me...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼,用于學(xué)習(xí)原理,如您想要源代碼請勿下載。