技術(shù)編號：6740156
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電平位移器，特別是涉及一種用于行譯碼電路的電平位移器。背景技術(shù)在半導(dǎo)體存儲裝置中，閃存(flash memory)是一種易失性存儲器,且屬于可擦除可編程只讀存儲器(Erasable Programmable Read-Only Memory, EPROM)。閃存的優(yōu)點是其可針對整個存儲器區(qū)塊進行擦除，且擦除速度快，約需一至兩秒。因此，近年來，閃存已運用于各種消費性電子產(chǎn)品中，例如數(shù)碼相機、數(shù)碼攝影機、移動電話或筆記本電腦等。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。