技術編號：6740178
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種非易失性存儲器件，更具體而言，涉及阻變存儲器件、包括阻變存儲器件的系統(tǒng)以及制造阻變存儲器件的方法。背景技術隨著數(shù)字通信技術和電子電器技術的快速發(fā)展，現(xiàn)有存儲器件(諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)或快閃存儲器)在獲得更高集成度和更高器件性能方面將很快達到其物理極限。例如，代表非易失性存儲器的快閃存儲器在編程操作和擦除操作中使用高電壓，并且由于比例正在縮小的相鄰單元之間的干擾而具有物理極限。此外，快閃存儲器具有低操作速度和高功耗的問題。作為現(xiàn)有...
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