技術編號：6741392
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲裝置及其寫入方法，其中，該非易失性存儲裝置具有使用所謂的電阻變化元件來構成的交叉點型存儲單元陣列。背景技術近年來，具有使用所謂的電阻變化元件而構成的存儲單元的非易失性存儲裝置的研究開發(fā)正在推進。所謂電阻變化元件，是指具有電阻值根據(jù)電信號而變化(在高電阻狀態(tài)與低電阻狀態(tài)之間轉變的)的性質、并能夠通過該電阻值的變化來存儲信息的元件。并且，關于采用電阻變化元件的存儲單元，其中一種作為適合高集成化的構造，存在所謂的交叉點構造。在交叉點構造中，...
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