技術(shù)編號(hào):6741568
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子,具體涉及。背景技術(shù)阻變存儲(chǔ)器(RRAM)由簡(jiǎn)單的三明治結(jié)構(gòu)(MM)金屬-阻變層-金屬構(gòu)成,由于其具有較快的開(kāi)關(guān)速度、較大的集成密度、較長(zhǎng)的保持時(shí)間、多值存儲(chǔ)的潛能,近幾年來(lái)得到了廣大的研究人員的深入的探索。因此阻變存儲(chǔ)器很可能取代傳統(tǒng)的浮柵結(jié)構(gòu)的flash存儲(chǔ)器,成為新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。阻變存儲(chǔ)器件通過(guò)高阻來(lái)代表“O “,用低阻來(lái)代表” I “,通過(guò)高低阻值來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)變的時(shí)候稱為set過(guò)程,通常會(huì)有一個(gè)限流來(lái)保護(hù)器件...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)無(wú)源代碼,用于學(xué)習(xí)原理,如您想要源代碼請(qǐng)勿下載。