技術(shù)編號：6742344
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種存儲器件，比如一種高密度的DRAM，具體涉及一種擴展的用于DRAM檢測的快速寫入電路。隨著DRAM的日益高度集成化，要求對多層圖形作精密的加工處理，而且DRAM的故障率則取決于灰塵或污染的程度，特別是隨著DRAM集成度的提高，故障率也隨之增加，于是，近來將DRAM檢測電路設(shè)置在存儲器件的內(nèi)部，以便進行內(nèi)部測試。但既使DRAM檢測在器件內(nèi)部完成，該DRAM的檢測時間也由于在比較高度集成的情況下而變得更長了。通常的DRAM檢測是通過使用檢測信號的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。