技術編號：6745284
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造磁頭的方法，包括步驟生長薄膜，用于至少包括薄片上二維布置中一個磁阻頭和一個薄膜頭的磁頭；從薄片上切下一模塊，其上直線排列著多個磁頭；切削模塊單元中的磁阻頭元件高度(磁阻頭部分的高度)或薄膜頭間隙深度到所需值；以及在上述加工后通過分離模塊制造單個磁頭。提供用于高密度的再現(xiàn)磁頭的公知裝置是使用磁阻元件的磁阻頭裝置，其電阻響應磁場強度。這種頭稱作磁阻頭(MR頭)，有利用各向異性磁阻效應的AMR(各向異性)頭，以及利用巨磁阻效應的GMR(巨磁阻)...
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