技術(shù)編號(hào)：6745602
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般而言涉及存儲(chǔ)設(shè)備，更具體而言涉及對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備編程的方法。背景技術(shù)非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是典型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的基本構(gòu)造部件?，F(xiàn)有的一種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備是閃速電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(“flashEEPROM”)，而現(xiàn)有的一種閃速存儲(chǔ)單元(flash memory cell)包含單個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，該場(chǎng)效應(yīng)管包括選擇柵(select gate)、浮動(dòng)?xùn)?floating gate)、源極和漏極。通過改變存儲(chǔ)在浮動(dòng)?xùn)胖械碾姾煽偭浚痖W速單元的閾電壓Vt發(fā)生變化，于...
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