技術(shù)編號(hào):6747507
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,特別涉及構(gòu)成讀出放大器激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生電路的MOS晶體管的布局。近年來(lái),在多層上設(shè)置的低電阻金屬線被用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。例如,在高度集成的DRAM例如如下制成的16-M DRAM或RDAM中,在兩層上設(shè)置低電阻金屬線,例如鋁線和高熔點(diǎn)金屬線。因此,改善了構(gòu)成存儲(chǔ)器單元、讀出放大器、行解碼器、列解碼器等的陣列區(qū)的布局。圖4表示主要的常規(guī)布局。圖4中,交替設(shè)置作為陣列區(qū)57主要部分的存儲(chǔ)器單元區(qū)55和讀出放大器區(qū)56。在各存儲(chǔ)器單元區(qū)55中,...
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