技術(shù)編號(hào)：6748212
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)本發(fā)明一般來說涉及薄膜、包括薄膜的磁記錄介質(zhì)、傳感器、和設(shè)備，具體來說涉及用在磁記錄介質(zhì)和磁傳感器中的促進(jìn)強(qiáng)取向鈷或鈷合金磁層的薄膜。對于高存儲(chǔ)容量、低噪聲、低成本的磁記錄介質(zhì)的要求日益迫切。為滿足這個(gè)要求，已經(jīng)開發(fā)的記錄介質(zhì)都具有增大的記錄密度和邊界更加清晰的晶粒結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)能夠顯著地增加存儲(chǔ)容量，同時(shí)還要降低記錄介質(zhì)的相關(guān)噪聲。然而，在近20年來記錄密度的飛快增加，再加上個(gè)人計(jì)算機(jī)的迅速發(fā)展，只起到加大對具有低噪聲和低成本的高存儲(chǔ)容量記錄介...
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