技術(shù)編號：6750448
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于感測可編程導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲器(PCRAM)元件的電阻的方法和設(shè)備。背景技術(shù)PCRAM器件將二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲為兩個不同的阻值，一個比另一個更高。該阻值代表特定的二進(jìn)制值邏輯“0”或邏輯“1”。當(dāng)感測PCRAM器件的阻值時，一般將經(jīng)歷讀操作的存儲單元電阻與參考單元電阻作比較來確定被讀取單元的阻值，以及它的邏輯態(tài)。此方法在美國專利No.5,883,827中被公開。然而，此方法具有一些局限性。如果參考單元有缺陷，并且陣列中的一列存儲單元使用相同的缺...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。