技術編號:6750680
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體存儲裝置和操作方法,具體地說,涉及這樣一種半導體存儲裝置和操作方法在其中存儲單元需要刷新儲存的數據、刷新操作在其內執(zhí)行和該裝置以與靜態(tài)RAM相似的定時要求在其外部操作。隨機存取存儲器(RAM)裝置在通常所說的存儲單元的單個的可尋址元件陣列中存儲電子數據。在市場上流行的RAM單元的兩種基本類型是靜態(tài)RAM(SRAM)單元和動態(tài)RAM(DRAM)單元。SRAM單元具有靜態(tài)封閉結構(例如包含6個晶體管、或4個晶體管和2個寄存器),該結構可長期...
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