技術(shù)編號：6750795
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及電阻交叉點存儲單元陣列，更具體地說，本發(fā)明涉及具有交叉耦合閂鎖放大器的電阻交叉點存儲單元陣列。例如，一種典型的MRAM存儲裝置包括存儲單元陣列。字線可沿存儲單元的行延伸，同時位線可沿存儲單元的列延伸。各存儲單元位于字線和位線的交叉點上。各MRAM存儲單元將一比特信息存儲為一種磁化方向。具體地說，每個存儲單元的磁化表示任何給定時間上兩個穩(wěn)定方向之一。這兩個穩(wěn)定方向，即平行和逆平行，表示邏輯值0和1。磁化方向影響存儲單元的電阻值。例如，如果磁化方...
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