技術(shù)編號(hào):6756202
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及非易失性存儲(chǔ)器(“NVM”)單元的領(lǐng)域。更具體地說,本發(fā)明涉及使用多相編程序列或算法來編程一個(gè)或多個(gè)NVM單元的系統(tǒng)、電路和方法。背景技術(shù)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)單元在大量的各種結(jié)構(gòu)中制造,包括但不限于如圖2A所示的多晶硅浮柵和如圖2B所示的氮化物只讀存儲(chǔ)器(“NROM”)。眾所周知,NVM單元的狀態(tài)可由其閾值電壓即柵-源電壓來定義和確定,在該閾值電壓上,該單元開始明顯導(dǎo)通電流。不同的閾值電壓范圍與不同的邏輯狀態(tài)相關(guān),并且NVM單元的閾值電壓...
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