技術編號:6756452
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及非易失性半導體存儲器裝置和用于非易失性存儲器裝置的寫或編程處理。背景技術 不象許多其它非易失性存儲器,EEPROMs(電可擦可編程只讀存儲器)可以電擦除舊數(shù)據(jù)并寫新數(shù)據(jù)。在數(shù)據(jù)管理中的這個靈活性使得EEPROMs在系統(tǒng)編程中成為最佳的非易失性存儲器,其中當系統(tǒng)通電時數(shù)據(jù)可以被更新并且必須可用。在EEPROM中的常規(guī)存儲器單元包括一個N通道單元晶體管,該晶體管有一個在P型基底中的N+源極和漏極之間限定的的通道區(qū)域上的浮動柵,和疊加在該浮動柵上的控制...
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