技術編號：6757204
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般涉及半導體集成電路，更具體地，涉及保持電荷泵抽(pumping)效率的高壓生成電路。背景技術 高密度動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)通常工作在低電源電壓1.5V或1.8V。不幸的是，低電源電壓傾向于導致DRAM電路性能低下。例如，低電源電壓通常導致讀出放大器運行緩慢以及位線預充電(precharge)緩慢。為解決這些以及其他的問題，DRAM通常為字線、位線或者讀出放大器提供3.0V或者更高的提升電壓(boosted voltage)。通常通過使用高...
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