技術編號：6757403
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種存儲器設備，其中利用根據(jù)電阻狀態(tài)存儲信息的存儲器元件所形成的存儲器單元。背景技術由于諸如閃存的半導體非易失性存儲器尺寸小和斷電后依然能維持記錄的數(shù)據(jù)，它作為移動圖片和音頻的記錄媒介而被廣泛使用。關于非易失性存儲器，需要更大的存儲容量和存儲密度。一種具有能多值記錄的結構的非易失性存儲器，特別是可以在一個存儲器單元上存儲兩位或更多數(shù)據(jù)的非易失性存儲器，作為一種可獲得上述目的的結構而被提出。此時，在可記錄兩位數(shù)據(jù)的情況下，例如，組成存儲器單元的存儲...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。